Geçtiğimiz hafta Samsung, yıllık forum etkiliğini ABD’de gerçekleştirdi. Etkinlikte şirket, teknolojisini 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early ve 3nm Gate-All-Around Early/Plus’a taşıyan bir yol haritası ortaya koydu. 7nm LPP süreciyle Samsung bir EUV litografi çözümünü ilk kez kullanacak ve yılın ikinci yarısında üretime hazır hale getirilecek. Parçaların seri üretimi ise 2019‘un ilk yarısında başlayacaktır.

Samsung’un 5nm LPE çipleri düşük güç tüketimi sağlayacak ve FinFET’i kullanacak olan yongaların sonuncusu olacak. Sonrasında 4nm Low Power Early/Plus işlem süreci başlayacak. Bu işlem teknolojisi ile üretilen çipler geliştirilmiş performansa ve daha küçük bir hücre boyutuna sahip olacak. İkili, sırasıyla 2019 ve 2020’de üretime başlayacak.

Bu yılın başındaki raporlara göre Samsung, Snapdragon 855 mobil platform için üreteceği çipleri 7nm işlem süreci ile üretecek. Bu çipler Galaxy S10’a güç verecek.

Samsung, 3nm işlem sürecinden itibaren kendi yeni nesil GAA (Gate all-around) mimarisi MBCFET kullanacak. 3nm üretiminin 2022 yılına kadar başlaması beklenmiyor. 3nm çiplerin üretiminde bir sorun yaşanmazsa şimdiye kadar var olan en yüksek performanslı ve düşük güç tüketimli işlemciler olacak.

13
like
5
love
0
haha
0
wow
0
sad
0
angry
5 Yorum konuları
0 Konu cevapları
0 İzleyiciler
 
En çok tepki verilen yorum
En yeni yorumlar
5 Yorum yazarları
yellowredHüseyin çetinVedat Yılmazdemir.demirgilhayrunnisadenizoglu Son yorum yazarları
  Abone ol  
En Yeniler Eskiler Beğenilenler
Bildir
demir.demirgil
Üye

Çok fazla terim var bilmediğim, teşekkürler yine de

Çalı Kuşu
Yazar

Hayırlısı efendim ne diyelim.

yellowred
Yazar

İşlemci denince intel bir numara.

Hüseyin Çetin
Üye

Güzel bir yazı olmuş teşekkürler

Vedat Yılmaz
Üye

fazla anlmyrm